BSR316P L6327
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BSR316P L6327參數：MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：360mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.8 歐姆 @ 360mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 170µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：165pF @ 25V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：PG-SC-59