BSP613P
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BSP613P參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：130毫歐@2.9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：33nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：875pF@25V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4