APTM50DAM19G
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APTM50DAM19G參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 163A SP6

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準
漏源極電壓 (Vdss)：500V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：163A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：22.5 毫歐 @ 81.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：492nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：22400pF @ 25V
功率 - 最大值：1136W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP6
供應(yīng)商器件封裝：SP6