APTM100H45FT3G參數(shù)：MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：4 個(gè) N 通道（H 橋）FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：18A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：540 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：154nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4350pF @ 25V功率 - 最大值：357W安裝類型：底座安裝封裝：SP3供應(yīng)商器件封裝：SP3
