APTM100DA18T1G參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：40A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：216 毫歐 @ 33A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：570nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14800pF @ 25V功率 - 最大值：657W安裝類型：底座安裝封裝：SP1供應(yīng)商器件封裝：SP1
