APTGL475DA120D3G參數(shù)：IGBT 1200V 610A 2080W D3
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-IGBT 類型：溝道和場截止配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.2V @ 15V，400A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：610A電流 - 集電極截止（最大值）：5mA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)：24.6nF @ 25V功率 - 最大值：2080W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：D3供應(yīng)商器件封裝：D3
