APTC60HM70SCTG參數(shù)：MOSFET 4N CH 600V 39A SP4
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：CoolMOS™包裝：散裝FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：39A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 39A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 2.7mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：259nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7000pF @ 25V功率 - 最大值：250W安裝類型：底座安裝封裝：SP4供應(yīng)商器件封裝：SP4
