APTC60DAM35T1G
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APTC60DAM35T1G參數：MOSFET N-CH 600V 72A SP1

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：72A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 72A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：518nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14000pF @ 25V
功率 - 最大值：416W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP1
供應商器件封裝：SP1