APT45GP120B2DQ2G參數(shù)：IGBT 1200V 113A 625W TMAX
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路產(chǎn)品目錄繪圖： T-MAXFront標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：POWERMOS7®包裝：管件IGBT類型：PT電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：3.9V@15V，45A電流-集電極(Ic)（最大值）：113ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：170A功率-最大值：625WSwitchingEnergy：900µJ(開),905µJ(關(guān))輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)GateCharge：185nCTd(on/off)A25°C：18ns/100nsTestCondition：600V,45A,5歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr)：-封裝：TO-247-3變式安裝類型：通孔供應(yīng)商器件封裝：*
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