3LP01C-TB-H參數：MOSFET P-CH 30V 100MA CP
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.4 歐姆 @ 50mA，4V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.43nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7.5pF @ 10V功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：3-CP
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