2SK2614(TE16L1,Q)
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2SK2614(TE16L1,Q)參數：MOSFET N-CH 50V 20A DP

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：50V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：20A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：900pF @ 10V
功率 - 最大值：40W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DP