2SJ058200L參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： U-G2Type標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2歐姆@1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：400pF@20V功率-最大值：10W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：U-G2
