【供應】TPCM8001-H(TE12L,Q
- 產品型號：TPCM8001-H(TE12L,Q
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規格：8-PowerWDFN
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-
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詳細信息
產品目錄繪圖：
TPCM8001 Side
TPCM8001 Top
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：20A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1130pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerWDFN
供應商器件封裝：2-4L1A
TPCM8001 Top
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：20A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1130pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerWDFN
供應商器件封裝：2-4L1A