【供應(yīng)】TPCF8104(TE85L)
- 產(chǎn)品型號(hào)：TPCF8104(TE85L)
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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暫時(shí)無(wú)參考價(jià)
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1760pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1760pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）
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TPCF8104(TE85L)Toshiba代理分銷VS-8（2-3U1A）2023+1250全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
