【供應】TPC8106-H(TE12L,Q)
- 產品型號：TPC8106-H(TE12L,Q)
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規格：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
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美元參考價格
-
暫時無參考價
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詳細信息
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：10A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：52nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2160pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：10A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：52nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2160pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）