【供應】TK58E06N1,S1X
- 產品型號：TK58E06N1,S1X
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規格：TO-220-3
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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1pcs： $2.09000/pcs
- 向供應商詢價>>
10pcs： $1.89000/pcs
25pcs： $1.68760/pcs
100pcs： $1.51880/pcs
250pcs： $1.35000/pcs
500pcs： $1.18126/pcs
1000pcs： $0.97875/pcs
2500pcs： $0.91125/pcs
5000pcs： $0.87750/pcs
詳細信息
特色產品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：58A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：46nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3400pF @ 30V
功率 - 最大值：110W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：58A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：46nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3400pF @ 30V
功率 - 最大值：110W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
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TK58E06N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進口現貨品質保證
