【供應】TK40E06N1,S1X
- 產(chǎn)品型號：TK40E06N1,S1X
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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1pcs： $1.70000/pcs
- 向供應商詢價>>
10pcs： $1.50400/pcs
25pcs： $1.35800/pcs
100pcs： $1.18830/pcs
250pcs： $1.04276/pcs
500pcs： $0.92150/pcs
1000pcs： $0.72750/pcs
2500pcs： $0.67900/pcs
5000pcs： $0.64505/pcs
詳細信息
特色產(chǎn)品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：40A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.4 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1700pF @ 30V
功率 - 最大值：67W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：40A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.4 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1700pF @ 30V
功率 - 最大值：67W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
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TK40E06N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
