【供應(yīng)】TK14A55D(STA4,Q,M)

- 產(chǎn)品型號:TK14A55D(STA4,Q,M)
- 生產(chǎn)廠家: Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格:TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商:查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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50pcs: $2.55160/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
系列:-
包裝:管件
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):550V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):14A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):370 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2300pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安裝類型:通孔
封裝:TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS
系列:-
包裝:管件
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):550V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):14A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):370 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2300pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安裝類型:通孔
封裝:TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS
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TK14A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semico..TO-220SIS2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證