【供應(yīng)】TK13E25D,S1X(S
- 產(chǎn)品型號(hào)：TK13E25D,S1X(S
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
-
50pcs： $1.85000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：250V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：13A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：250 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 100V
功率 - 最大值：102W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：250V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：13A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：250 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 100V
功率 - 最大值：102W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
-
TK13E25D,S1X(SToshiba Semico..TO-220-32023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
