【供應(yīng)】TK11A55D(STA4,Q,M)
- 產(chǎn)品型號(hào)：TK11A55D(STA4,Q,M)
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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50pcs： $2.09000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：550V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：630 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220SIS
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：550V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：630 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220SIS
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TK11A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semico..TO-220SIS2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
