【供應(yīng)】TK100E06N1,S1X
- 產(chǎn)品型號：TK100E06N1,S1X
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
-
1pcs： $4.26000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
10pcs： $3.80000/pcs
25pcs： $3.42000/pcs
100pcs： $3.11600/pcs
250pcs： $2.81200/pcs
500pcs： $2.52320/pcs
1000pcs： $2.12800/pcs
2500pcs： $2.02160/pcs
5000pcs： $1.93800/pcs
詳細信息
特色產(chǎn)品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：140nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10500pF @ 30V
功率 - 最大值：255W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：140nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10500pF @ 30V
功率 - 最大值：255W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
-
TK100E06N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
