【供應(yīng)】SUM40N02-12P-E3
- 產(chǎn)品型號(hào)：SUM40N02-12P-E3
- 生產(chǎn)廠家： Vishay Siliconix
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），..
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美元參考價(jià)格
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800pcs： $1.05525/pcs
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詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 10V
功率 - 最大值：3.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2Pak）
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 10V
功率 - 最大值：3.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2Pak）
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SUM40N02-12P-E3Vishay Silicon..TO-263（D2Pak）2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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SUM40N02-12P-E3Vishay/Silicon..TO-263-3,Dsu..2023+1250全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
