ZXMC6A09DN8TA參數(shù)：MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.9A，3.7A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 8.2A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：24.2nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1407pF @ 40V功率 - 最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
