STY100NM60N
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STY100NM60N參數(shù)：MOSFET N CH 600V 98A MAX247

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STY100NM60NViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：Mdmesh™II
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：98A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：29毫歐@49A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：330nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9600pF@50V
功率-最大值：625W
安裝類型：通孔
封裝：MAX247?
供應(yīng)商器件封裝：MAX-247