STSJ100NHS3LL參數(shù):MOSFET N-CH 30V 20A PWRSOIC-8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:STripFET™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):100A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 10A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):35nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4200pF @ 25V功率 - 最大值:3W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC-EP