STS8DN3LLH5參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 10A SO8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它有關(guān)文件： STS8DN3LLH5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：19毫歐@5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.4nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：724pF@25V功率-最大值：2.7W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
