STS2DNF30L
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STS2DNF30L參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它有關(guān)文件： STS2DNF30LViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：STripFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：110毫歐@1A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：4.5nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：121pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO