STL10N3LLH5參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STL10N3LLH5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：STripFET™V包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：19毫歐@4.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：900pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（3.3x3.3）
