STI16N65M5
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STI16N65M5參數：MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： STI16N65M5ViewAllSpecifications
標準包裝：50
系列：MDmesh™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：650V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：279毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1250pF@100V
功率-最大值：90W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商器件封裝：I2PAK