STI12N65M5參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STI12N65M5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：MDmesh™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：8.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：430毫歐@4.3A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：22nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：900pF@100V功率-最大值：70W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK
