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STB55NF06LT4參數：MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STB55NF06LViewAllSpecifications標準包裝：1,000系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：55A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：18毫歐@27.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.7V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：37nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1700pF@25V功率-最大值：95W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
