STB12NM50FDT4參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：1,000系列：FDmesh™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：12A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 6A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 25V功率 - 最大值：160W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
