SSM3J46CTB(TPL3)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： SmallSignalMOSFET產(chǎn)品目錄繪圖： CST3BTop CST3BSide標準包裝：10,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.5V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：103毫歐@1.5A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4.7nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：290pF@10V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，無引線供應商器件封裝：CST3B
<li id="oecyw"></li>
