SPP80N06S2L-09
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SPP80N06S2L-09參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation05/Jun/2008
標準包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.5毫歐@52A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@125µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：105nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3480pF@25V
功率-最大值：190W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：P-TO220-3