SPD09P06PL參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：250毫歐@6.8A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：21nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：450pF@25V功率-最大值：42W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
