SIA416DJ-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 100V D-S SC70-6L
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： 100VTrenchFET?PowerMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：11.3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：83毫歐@3.2A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：295pF@50V功率-最大值：19W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK?SC-70-6供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK?SC-70-6單
