SI2319DS-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：82 毫歐 @ 3A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：470pF @ 20V功率 - 最大值：750mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
<li id="euqca"></li>
