SI1499DH-T1-E3
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SI1499DH-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：78毫歐@2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：650pF@4V
功率-最大值：2.78W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6