SI1029X-T1-GE3參數：MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：305mA，190mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.75nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：SC-89-6
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