SI1021R-T1-E3
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SI1021R-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：190mA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 15V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：23pF @ 25V
功率 - 最大值：250mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：SC-75A
供應(yīng)商器件封裝：SC-75A