QS6K1TR
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QS6K1TR參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品目錄繪圖： TSMT-6PackageTop
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：238毫歐@1A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：77pF@10V
功率-最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：TSMT6