PSMN8R0-30YL,115
PDF資料下載

PSMN8R0-30YL,115參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,500
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：62A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.3 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1005pF @ 15V
功率 - 最大值：56W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商器件封裝：LFPAK，Power-SO8