NTS2101PT1
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NTS2101PT1參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： LTBNotification03/Jan/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.4A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：100毫歐@1A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6.4nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：640pF@8V
功率-最大值：290mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-70，SOT-323
供應(yīng)商器件封裝：SC-70-3（SOT323）