NTMFS4826NET1G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： 1Q2012Discontinuation30/Mar/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.9毫歐@30A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1850pF@12V功率-最大值：870mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN裸焊盤（5根引線）供應(yīng)商器件封裝：6-DFN，8-SO扁平引線（5x6）
