NP100P06PLG-E1-AY參數(shù)：MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：100A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：6 毫歐 @ 50A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：300nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：15000pF @ 10V功率 - 最大值：1.8W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263
