MTD6P10E參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：660毫歐@3A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：22nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：840pF@25V功率-最大值：1.75W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線(xiàn)+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
ONTO-252(DPAK)2023+6639全新原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨
