MSB710-RT1G
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MSB710-RT1G參數：TRANS PNP GP BIPO 50V SC-59

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 單路
產品變化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：PNP
電流-集電極(Ic)（最大值）：500mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：600mV@30mA，300mA
電流-集電極截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：120@150mA，10V
功率-最大值：200mW
頻率-躍遷：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SC-59