IRF640N
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IRF640N參數：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：50
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：18A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：67nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1160pF @ 25V
功率 - 最大值：150W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220AB