IRF6100參數(shù):MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計(jì)資源: IRF6100SaberModel IRF6100SpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):5.1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):65毫歐@5.1A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1230pF@15V功率-最大值:2.2W安裝類型:表面貼裝封裝:4-FlipFet?供應(yīng)商器件封裝:4-FlipFet?