IRF2804S-7P
PDF資料下載

IRF2804S-7P參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
設(shè)計(jì)資源： IRF2804S-7PSaberModel IRF2804S-7PSpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：160A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.6毫歐@160A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：260nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6930pF@25V
功率-最大值：330W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-7，D²Pak（6引線+接片），TO-263CB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK（7-Lead）